氮化镓半导体器件行业发展态势：2023-2028年全球市场将以21.6%的超高CAGR增长

2023年全球氮化镓半导体器件市场规模为16.9亿美元，预计2023-2028年内将以21.6%的超高CAGR增长。

一、区域分布

1.北美市场

北美凭借其在氮化镓半导体技术上的大量投资以及各行业垂直领域对先进电子技术的采用，2023年占据主导地位。美国领先的半导体制造商，如德州仪器和安森美半导体公司，都有氮化镓研究项目，显示了其大量的技术投资。此外，政府也在积极推动高能效设备的采用，鼓励减少市场中的能源损耗。

2.亚太市场

在预测期内，亚太地区的氮化镓半导体器件市场预计将实现最快增长，原因是随着城市化进程的加快，该地区的消费电子产品不断增加，汽车行业中的集成电子产品增多，以及该地区技术的快速进步。

全球氮化镓半导体器件市场规模（亿美元）及地区占比

数据来源：贝哲斯咨询

二、驱动因素

推动全球氮化镓半导体器件市场发展的一些关键因素包括：电力电子领域日益增长的高速革命、宽带隙技术向尽可能宽的范围激增、从传统的硅基技术向先进的氮化镓技术转变、印刷电路板（PCB）晶圆尺寸缩小或电子产品微型化。

三、竞争洞察

全球氮化镓半导体器件市场竞争的主要企业有：Cree公司、富士通公司、GaN Systems公司、MACOM Technology Solutions公司、Qorvo公司、Cree公司、英飞凌科技公司、住友电气工业公司和意法半导体公司。